WInSiC4AP

Das Projekt Wide Band Gap Innovative SiC for Advanced Power (WInSiC4AP) ist ein internationales Kooperationsprojekt, das durch die EU-Initiative ECSEL gefördert wird. Die über 20 Partner aus Frankreich, Italien und Deutschland entwickeln gemeinsam Halbleiterelemente und Schaltungen, die auf Siliciumcarbid beruhen. Dieser Halbleiter zeichnet sich durch seine große Bandlücke aus, was den Betrieb von Transistoren mit höheren Spannungen und Frequenzen ermöglicht und auch einen besseren Wirkungsgrad aufweist im Vergleich zu Silicium oder Germanium. Auf Basis solcher Transistoren werden gemeinsam u. a. Hochvolt-Spannungswandler etwa für die Elektromobilität entwickelt und getestet.

Das IMPT forscht als Partner in diesem Projekt zusammen mit Würth Elektronik an integrierten Transformatoren, die innerhalb der Leiterplattenebene aufgebaut werden. Durch ihren Einsatz ließe sich Bauraum auf Platinen einsparen, der für andere elektronische Komponenten genutzt werden könnte und weiterhin eine Reduktion der Bauhöhe zuließe. Herkömmliche Induktivitäten und vor allem Transformatoren sind durch die klassische Fertigung mit gewickeltem Kupferdraht häufig ausschlaggebend, was den Platzbedarf einer Platine betrifft. Die entwickelten Transformatoren werden in Gate-Treiber-Schaltungen der SiC-MOSFETs eingesetzt.